आर्क डिस्चार्ज विधि: आर्क डिस्चार्ज विधि कार्बन नैनोट्यूब के उत्पादन की प्राथमिक विधि है। विशिष्ट प्रक्रिया में ग्रेफाइट इलेक्ट्रोड को हीलियम या आर्गन गैस से भरे एक प्रतिक्रिया पोत में रखना शामिल है, जिससे लगभग 4000 डिग्री सेल्सियस तक पहुंचने वाले तापमान पर इलेक्ट्रोड के बीच एक विद्युत चाप उत्पन्न होता है। इन परिस्थितियों में, ग्रेफाइट वाष्पित हो जाता है, जिससे फुलरीन (C60), अनाकार कार्बन और एकल दीवार वाले या बहु दीवार वाले कार्बन नैनोट्यूब बनते हैं। इन उत्पादों की सापेक्ष पैदावार को उत्प्रेरक और बर्तन में हाइड्रोजन सामग्री को नियंत्रित करके समायोजित किया जा सकता है।
रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी): रासायनिक वाष्प जमाव विधि हाइड्रोकार्बन या कार्बन युक्त ऑक्साइड को एक उत्प्रेरक युक्त उच्च तापमान ट्यूबलर भट्ठी में पेश करती है, जहां वे कार्बन नैनोट्यूब बनाने के लिए उत्प्रेरक अपघटन से गुजरते हैं। सीवीडी आर्क डिस्चार्ज विधि की कुछ सीमाओं को पार कर जाता है।
लेजर वाष्पीकरण विधि: लेजर वाष्पीकरण की विशिष्ट प्रक्रिया इस प्रकार है: धातु उत्प्रेरक/ग्रेफाइट मिश्रण से युक्त एक ग्रेफाइट लक्ष्य को एक लंबी क्वार्ट्ज ट्यूब के बीच में रखा जाता है, जिसे बाद में एक हीटिंग भट्टी के अंदर रखा जाता है। जब भट्ठी का तापमान एक निश्चित स्तर तक पहुंच जाता है, तो अक्रिय गैस को ट्यूब में पेश किया जाता है, और एक लेजर बीम को ग्रेफाइट लक्ष्य पर केंद्रित किया जाता है। लेजर विकिरण के तहत गैसीय कार्बन उत्पन्न होता है। चूंकि यह गैसीय कार्बन और उत्प्रेरक कण गैस प्रवाह द्वारा उच्च{3}तापमान क्षेत्र से निम्न{4}तापमान क्षेत्र में ले जाए जाते हैं, वे उत्प्रेरक की क्रिया के तहत सीएनटी में विकसित हो जाते हैं।
कम -तापमान ठोस{{1}चरण पायरोलिसिस विधि: ठोस{2}}चरण पायरोलिसिस विधि मध्यवर्ती तैयार करके कार्बन नैनोट्यूब का उत्पादन करती है। सबसे पहले, मेटास्टेबल नैनोस्केल सिलिकॉन -कार्बन नाइट्राइड (Si{5}}C-N) सिरेमिक मध्यवर्ती तैयार किए जाते हैं। फिर, इन नैनो - सिरेमिक मध्यवर्ती को बोरॉन नाइट्राइड कड़ाही में रखा जाता है और अपघटन के लिए ग्रेफाइट प्रतिरोध भट्टी में गर्म किया जाता है। नाइट्रोजन गैस को एक साथ सुरक्षात्मक गैस के रूप में पेश किया जाता है। लगभग 1 घंटे तक गर्म करने के बाद, नैनो{{12}मीडिएट पाउडर पायरोलाइज होना शुरू हो जाता है, और कार्बन परमाणु सतह पर चले जाते हैं।
आयन बमबारी विधि: एक वैक्यूम भट्टी में, कार्बन को आयन या इलेक्ट्रॉन डिस्चार्ज द्वारा वाष्पित किया जाता है, और कार्बन नैनोट्यूब और अन्य संरचनाओं वाले अवक्षेप को एक कंडेनसर पर एकत्र किया जाता है।
पॉलिमराइजेशन संश्लेषण विधि
सीएनटी कार्बन नैनोट्यूब की तैयारी में, पोलीमराइजेशन संश्लेषण विधि आम तौर पर एक टेम्पलेट का उपयोग करके प्रतिकृति और प्रवर्धन की विधि को संदर्भित करती है। सीएनटी कार्बन नैनोट्यूब की सामान्य तैयारी प्रक्रिया कार्बनिक संश्लेषण प्रतिक्रियाओं के समान है, और इसकी पार्श्व प्रतिक्रियाएं जटिल और विविध हैं, जिससे यह गारंटी देना मुश्किल हो जाता है कि एक ही बैच के सभी कार्बन नैनोट्यूब आर्मचेयर के आकार के या दाँतेदार नैनोट्यूब हैं।
